CAS: 1327-50-0; Antimony(Iii) Telluride

该化合物是一种窄带半导体,具有显著的热电和相位变化特性,其分层晶体结构有助于低热导导力和高导电率,使之适合热电应用,包括能源采集和冷却系统.Sb2Te3显示在相位变化内存装置和光学储存介质中使用的瞬态到丙烯酸盐阶段的快速转换.该材料还研究其先进电子应用中的表层隔热特性,其稳定性和可金枪鱼电子特性进一步提高其在薄膜技术和固态装置中的效用.Sb2Te3通常通过蒸气沉降或固态反应合成,确保研究和工业用途的高纯度.

结构式图片

欧盟法规

ECHA物质C&L通报REACH预注册

合成工艺路线路线简述

    专利信息


    专利号:US-11542600-B2
    优先权日:2009-10-26
    标题 :Synthesis and use of precursors for ALD of group VA element containing thin films

    专利号:US-11814400-B2
    优先权日:2008-04-25
    标 题 :Synthesis and use of precursors for ALD of tellurium and selenium thin films

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