CAS: 12024-14-5; Gallium Telluride

该化合物是一种二进制化合物,由和组成,以其半导体特性为显著特征,通常在层结构中结晶,有助于其厌食性电和光学特性.GaTe展示了直接带宽,适合光检测器和光导发射装置等光电子应用.该材料的特点是其高热稳定性,与其他半导体相比熔点相对较低.GaTe可以通过各种方法合成,包括化学蒸气运输和固态反应.其电导性可以通过剂量改变,允许有针对性的电子特性.此外,GaTe在二维材料领域展示了希望,有可能在灵活的电子设备和先进的光学设备中应用.然而,由于的毒性和实验室环境中需要适当的安全措施,处理GaTe需要谨慎小心.总的来说,是现代半导体技术领域的重要材料.

英文名称Gallium Telluride
中文名称碲化镓(II)
其它别名Galliummonotelluride; Gallium monotelluride (GaTe); Gallium telluride (Ga2Te2)
CAS编号12024-14-5
MFCD编号:MFCD00135536
EINECS号:234-690-1
分子式:GaH2Te分子量:199.34
产品CID: 269046
产品分类无机化工 → 无机盐 → 硫族化合物

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产品信息参考;;;
InChIKey: OMBGKKGPBKFOPT-UHFFFAOYSA-N
1S/Ga.Te.H
计算化学: 氢键受体数*氢键供体数0.0可旋转键数0.0

MSDS等安全信息

GHS象形图
GHS符号GHS07;
注释: Exclamation mark
危险类别急性毒性类别4(经口)
特定目标器官毒性 - 单次接触类别3
皮肤腐蚀/刺激类别2
严重眼刺激类别2
警示词Warning(警告)
危险描述H302 |吞咽有害.
H335 |可能引起呼吸道刺激.
H315 |造成皮肤刺激.
H319 |造成严重眼刺激.
防范说明P260-P280-P301+P312
危险品标志Xn
安全声明22-24/25
危险类别码22-36/37/38

欧盟法规

ECHA物质C&L通报REACH预注册

合成工艺路线路线简述

专利信息

专利号:KR-20200113238-A
优先权日:2018-01-22
标题:Large-scale synthesis of 2D semiconductors by epitaxial phase transition

专利号:EP-3898887-B1
优先权日:2019-02-05
标题 :Methods for synthesis of inorganic nanostructures using molten salt chemistry