CAS: 1312-45-4; Indium(Iii) Telluride
该化合物是一种由和组成的二元化合物,具有半导体特性,一般是晶状固体,以其层状结构著称,可影响其电子和光学行为. 硝酸铵具有直接的带状体,在包括红外探测器和光电电池在内的各种光电子应用中有用.该化合物一般在环境条件下稳定,但对水和空气敏感,可能导致氧化或降解.在热特性方面,In2Te3具有相对较高的熔点,其热导力是中度的,使之适合某些高温应用.此外,它可以通过各种方法合成,包括化学蒸汽沉积和固态反应.它独特的电子特性,加上它与其他半导体形成合金的能力,使硝酸铵成为材料科学和纳米技术研究的焦点.在处理该化合物时,应当采取安全防范措施,因为其中既有和形式都构成某种健康风险.
- 英文名称Indium(Iii) Telluride
- 中文名称硒化铟(III)
- 其它别名Indiumtelluride(In2Te3); Indium (Iii) Telluride; Indium Telluride; Diindium Tritelluride; Indium Sesquitelluride; Indium(Iii)Telluride(In2Te3)
- CAS编号1312-45-4
- MFCD编号:MFCD00016148
- EINECS号:215-194-4
- 分子式:C48H57FeP3分子量:612.44
- 产品CID: 474914
- 产品分类无机化工 → 无机盐 → 硫族化合物
- 相似结构搜索
- 产品信息参考
;;;; - InChIKey: FQMXKOUOODNYGK-UHFFFAOYSA-N
- 1S/In.H2Te.3H/h;1H2;;;
- 计算化学: 氢键受体数*氢键供体数0.0可旋转键数0.0
MSDS等安全信息
- GHS象形图
- GHS符号GHS07;
注释: Exclamation mark - 危险类别急性毒性 类别4(吸入)
急性毒性 类别4(经皮)
急性毒性 类别4(经口)
特定目标器官毒性 - 单次接触 类别3
皮肤腐蚀/刺激 类别2
严重眼刺激 类别2 - 警示词Warning(警告)
- 危险描述H332 |吸入有害.
H312 |皮肤接触有害.
H302 |吞咽有害.
H335 |可能引起呼吸道刺激.
H315 |造成皮肤刺激.
H319 |造成严重眼刺激. - 防范说明P264-P280-P302+P352-P337+P313-P305+P351+P338-P362+P364-P332+P313
- 危险品标志Xn
- 安全声明26-36
- 危险类别码20/21/22-36/37/38
- WGK Germany3
欧盟法规
ECHA物质ECHA物质C&L通报REACH预注册合成工艺路线路线简述
专利信息
专利号:CN-115974132-A
优先权日:2022-12-22
标 题 :Method for one-step synthesis of indium-based or gallium-based semiconductor materials
专利号:CN-116790920-B
优先权日:2022-10-11
标 题 :A melt quenching method for general synthesis of nanoporous metal compound materials doped with metal single atoms
专利号:CN-116790920-A
优先权日:2022-10-11
标题:Universal synthesis of single-atom doped nano porous metal compound material by melt quenching method
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📌 第三方产品分析报告
合成参考文献
参考文献:10.1007/s10853-023-09028-8
摘要:Shankar MR, Prabhu AN. A review on structural characteristics and thermoelectric properties of mid-temperature range Chalcogenide-based thermoelectric materials. J Mater Sci. 2023 Nov;58(43):16591–633. doi: 10.1007/s10853-023-09028-8.
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