📜Tin,Sulfur 反应 24.0H,反应生成二硫化锡
参考文献:Sns 2在高压下的原子和电子结构转变:联合单晶x射线衍射和dft研究†
标题:Sns 2在高压下的原子和电子结构转变:联合单晶x射线衍射和dft研究†
摘要:层状半导体sns 2引起了对插层和光电应用的极大兴趣.尽管在金属二卤化物领域中进行了大量研究,但该化合物的结构与性质之间的关系仍不清楚.在这里,我们对压力范围为0 < P <20 Gpa的sns 2进行单晶x射线衍射和dft计算相结合的深入研究.晶胞的各向异性压缩显然与s-sn-s夹心层之间的范德华相互作用有关,因为压缩主要影响层间距离.这种压缩行为与其他众所周知的层状化合物(石墨和氮化硼)的压缩一致,但与其他ms的压缩有显着差异这是2种化合物,清楚地表明sns 2在金属二卤化金属领域中表现出独特而有趣的情况.压缩导致s⋯s层间相互作用的显着增加,进而导致电子结构发生变化,这通过dft带结构计算得到证明.所计算的带隙变窄由单晶的显着,可逆的颜色变化支持.在20 Gpa时,带隙的大小已从2.15降低至0.88 Ev,并且预测在33 Gpa时会发生带隙闭合.
Doi:10.1039/c5Dt04532K