CAS: 41836-21-9; Bis(Trimethylsilyl)Azanide,Cerium(3+)
该化合物是一种宝贵的前体,特别是通过化学蒸气沉降(CVD)或原子层沉降(ALD)将含有的薄膜储存下来.这种受阻碍的二(三甲基硅化物)离子(二)(三甲基硅化物)会增加非极溶剂的溶性,并增加挥发性,促进受控的集成.这种化合物在高级材料研究中特别有用,包括催化,发光材料和稀土半导体.其空气和湿度敏感性性质要求在惰性条件下处理,但其再活动使得精确的协调化学和量材料特性.
- 英文名称Bis(Trimethylsilyl)Azanide,Cerium(3+)
- 中文名称三[N,N-双(三甲基硅烷)胺]铯
- IUPAC名称tris(bis(trimethylsilyl)azanide);cerium(3+)
- 其它别名HEXAMETHYLDISILAZANE CERIUM(III) SALT; CERIUM III TRIS(BIS(TRIMETHYLSILYLAMIDE)); N,N-BIS(TRIMETHYLSILYLAMINE)CERIUM(III); TRIS[N,N-BIS(TRIMETHYLSILYL)AMIDE]CERIUM(III); Ceriumtrisbistrimethylsilylamide; CERIUM III TRIS[BIS(METHYLSILYLAMIDE)]; TrisN,N-bis(trimethylsilyl)amideücerium(III),
- CAS编号41836-21-9
- MFCD编号:MFCD03411241
- EINECS号:622-002-6
- 分子式:C6H19CeNSi2分子量:301.51
- 产品CID: 1432034
- 产品分类有机原料 → 有机金属类化合物 → 有机铋、钴、镨、钆、镓、铱、铼、钇、铽等
物理性质
MSDS等安全信息
欧盟法规
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cerium chloride lithium hexamethyldisilazane potassium hexamethylsilazane sodium hexamethyldisilazanecerium(III) 2,6-di-t-butyl-phenoxide tris(bis(trimethylsilyl)amido)(cyclohexylis°Cyanide)2Ce(III)合成工艺路线路线简述
- 合成目标产物 Tris[n,N-Bis(Trimethylsilyl)Amide]Cerium(Iii) 主要起始原料 Sodium Bis(Trimethylsilyl)Amide And Cerium(Iii) Trifluoromethanesulfonate
- (文献来源)合成步骤主要原料 Sodium Bis(Trimethylsilyl)Amide 和 Cerium(Iii) Trifluoromethanesulfonate
📜三氯化铈,双(三甲基硅烷基)氨基钾 以 四氢呋喃,甲苯作为反应溶剂,获得 Tris(Bis(Trimethylsilylamido))Cerium(III)
参考文献:挥发性的,无氟的β-酮基化镧系元素movd前驱体的合成和表征,及其在超导电子外延ceo(2)缓冲层的低温生长中的实现.
标题:挥发性的,无氟的β-酮基化镧系元素movd前驱体的合成和表征,及其在超导电子外延ceo(2)缓冲层的低温生长中的实现.
摘要:已开发出一类新型的挥发性,低熔点,无氟镧系金属有机化学气相沉积(Movd)前体.中性单体ce,Nd,Gd和er络合物被通用的多齿醚官能化β-酮亚胺基配体系列配位饱和,可通过改变酮基上的烷基取代基来调节其熔点和挥发性,亚氨基和配体的醚位.与常规镧系元素β-二酮酸酯络合物的直接比较表明,当前的前体类别是氧化镧系元素movd的绝佳选择.外延ceo(2)缓冲层膜可以通过movd在(001)Ysz衬底上以比以前使用新开发的β-酮化铈铈前体低得多的温度(450-650摄氏度)生长.在540摄氏度下沉积的薄膜具有良好的面外(Deltaomega = 0.85摄氏度)和面内(Deltaphi = 1.65摄氏度)对准和光滑表面(均方根粗糙度约为4.3 A).随着沉积温度的升高,膜的生长速率降低并且膜趋于平滑.通过脉冲有机金属分子束外延在这些ceo(2)缓冲层上生长的高质量钇钡铜氧化物(Ybco)膜表现出非常好的电传输性能(T(C)=
Doi:10.1021/Ic020299H
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合成参考文献
合成方法参考DOI号:10.1039/c9dt00775j
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