CAS: 12159-07-8; Copper Silicide

该化合物是一种由铜和硅组成的半金属化合物,以高热和高电导度著称,对氧化和腐蚀具有极强的抗药性,适合高温应用;这些材料经常用于半导体装置,薄膜涂层,并因其稳定的间隙特性而成为微电子中的扩散屏障. 铜硅还表现出良好的机械强度和粘合性,这增强了其在集成电路和冶炼工艺中的性能. 它与基于硅的子层的兼容性进一步突出了其在先进的电子和光电子系统中的效用. 化合物的平衡性使得它成为专门的工业和研究应用的可靠选择.

结构式图片

合成工艺路线路线简述

    专利信息


    专利号:SU-1153977-A1
    优先权日:1982-07-22
    标 题 :Method of obtaining a contact mass for synthesis of alkylchlorsilanes

    专利号:JP-H0631268-B2
    优先权日:1988-06-28
    标题:Direct synthesis of organohalohydrosilanes

    专利号:RU-2098501-C1
    优先权日:1994-03-30
    标题:Method for processing residues from synthesis of organochlorosilanes and/or chlorosilanes with recovery of silicon and copper

    专利号:NO-180188-B
    优先权日:1994-03-30
    标 题:Process for the preparation of residues from direct synthesis of organochlorosilanes and / or chlorosilanes

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    合成参考文献


    摘要:L277: Wikipedia. Copper. Last Updated 29 May 2009. http://en.wikipedia.org/wiki/Copper
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