CAS: 12053-13-3; Chromium(Ii) Selenide

该化合物是一种无机化合物,其特点是由铬和组成的金属二卤化物结构转型,由铬和组成,通常是一种灰或黑固体,呈现出一种层状晶体结构,可以很容易地将它排入薄膜.CrSe以其半导体特性而著称,它具有各种电子和光电子应用,包括光检测器和晶体管.该化合物的熔点相对较高,在环境条件下表现出稳定性,尽管它可能具有氧化敏感性.此外,CrSe展示了有趣的磁性特性,这种特性可能受到其结构阶段和缺陷的存在的影响.其带状可因层数不同而有所变化,使其成为二维材料领域研究的课题.

结构式图片

物理性质

MSDS等安全信息

欧盟法规

ECHA物质ECHA物质C&L通报REACH预注册

合成工艺路线路线简述

    专利信息


    专利号:CN-101696002-A
    优先权日:2009-10-14
    标 题 :Composite system of graphene and semiconductor nanoparticles and its synthesis method

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    合成参考文献


    参考文献:10.1007/s100190100133
    摘要:Snyder GJ, Caillat T, Fleurial J-. Thermoelectric Properties of Chalcogenides with the Spinel Structure. Materials Research Innovations. 2001 Oct;5(2):67–73. doi: 10.1007/s100190100133.
    参考文献:10.1007/s11082-023-05572-4
    摘要:Aljaloud ASM, Qasrawi AF, Alfhaid LHK. Growth and characterization of chromium selenide thin films for optoelectronic applications. Opt Quant Electron. 2023 Nov 01;55(14). doi: 10.1007/s11082-023-05572-4.
    参考文献:10.1007/s11082-023-05902-6
    摘要:Algarni SE, Qasrawi AF, Khusayfan NM. InSe/CrSe Interfaces Performed as Resistive Switches and Band Filters for Gigahertz/Terahertz Communication Technology Applications. Opt Quant Electron. 2023 Dec 29;56(3). doi: 10.1007/s11082-023-05902-6.
    参考文献:10.1007/s12633-023-02842-4
    摘要:Algarni SE, Qasrawi AF, Khusayfan NM. Growth of Polycrystalline n- CrSe2 Nanosheets Onto p –Si Substrates and their Applications as Rectifiers and Gigahertz Band Filters. Silicon. 2024 Jan 08;16(6):2341–8. doi: 10.1007/s12633-023-02842-4.
    参考文献:10.1007/s11664-024-11004-0
    摘要:Algarni SE, Qasrawi AF, Khusayfan NM, Alharbi SR, Alfhaid LHK. p-Si/n-CrSe2 Heterojunctions Designed as High-Frequency Capacitors and Photosensors. J. Electron. Mater. 2024 Mar 17;53(5):2591–600. doi: 10.1007/s11664-024-11004-0.
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