CAS: 52217-52-4; Trichloro(Oct-7-En-1-yl)Silane

该化合物是氯硅烷化合物,具有反应性三氯硅合金和不饱和的八丁基链.这一结构使该化合物具有双重功能,使其能够在聚合物和材料科学应用中作为混合剂或表面修饰剂发挥作用.三氯硅合金集团促进与诸如玻璃或金属氧化物等氢氧化物表面的紧密结合,而环氧链则为进一步的功能化或聚合提供了有机处理器.它的再活动使其适合于加强粘合,疏水性或涂层,复合物和硅酮的交叉连接.该化合物通常因其湿度敏感性而在不热的条件下处理.

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相似化合物

17963-29-0 18817-29-3 52217-53-5

上下游产品

CAS号2695-48-9 8-溴-1-辛烯 | CAS号4549-32-0 1,8-二溴辛烷

合成工艺路线路线简述

    📜1,8-二溴辛烷置于1,2-二溴乙烷 氢氧化钾,四氯化硅,18-冠醚-6,Magnesium体系中,用 乙醚 作为反应溶剂,180.0 °C,6.67 Kpa 条件下,反应 4.0H,反应生成 7-辛烯基三氯硅烷
    参考文献:烯基硅烷结构对单核和双核有机钛介导的乙烯聚合的影响:同时聚烯烃支链和官能团的范围和机理介绍
    标题:烯基硅烷结构对单核和双核有机钛介导的乙烯聚合的影响:同时聚烯烃支链和官能团的范围和机理介绍
    摘要:在有机钛介导的烯烃聚合过程中,研究了不同链长的烯基硅烷作为同时的链转移剂和共聚单体.乙烯聚合用活化的 Cgctime2 和 Ebicgcti2Me4 (Cgc = Me2Si(Me4C5)(Ntbu);ebicgc = (Mu-Ch2Ch2-3,3'){(Eta5-茚基)[1-Me2Si(Tbun)]}2)在烯丙基硅烷,3-丁烯基硅烷,5-己烯基硅烷和7-辛烯基硅烷存在下的预催化剂.在这些烯基硅烷的存在下,观测到高聚合活性(高达 107 G 聚合物/(ti.Atm 乙烯.H 的摩尔数)),狭窄的产品共聚物多分散性和大量的长链支化.无论 Ti 核性如何,烯基硅烷掺入水平遵循 C8H15Sih3 < C6H11Sih3 大约 C4H7Sih3 < C3H5Sih3 的趋势.与 Ebicgcti2Me4 介导的共聚反应(高达 32%)相比,Cgctime2 介导的共聚反应(高达 54%)的烯基硅
    DOI:10.1021/ja0675292

    海关参考信息

    专利信息


    专利号:US-9923142-B2
    优先权日:2016-05-31
    标 题:Methods of graphene growth and related structures
    发明人:CHEN MIIN-JANG; PAN SAMUEL C; HSIEH CHUNG-YEN
    权利人:TAIWAN SEMICONDUCTOR MFG CO LTD; UNIV NAT TAIWAN
    摘要:A method and structure for providing uniform, large-area graphene by way of a transfer-free, direct-growth process. In some embodiments, a SAM is used as a carbon source for direct graphene synthesis on a substrate. For example, a SAM is formed on an insulating surface, and a metal layer is formed over the SAM. The metal layer may serve as a catalytic metal, whereby the SAM is converted to graphene following an annealing process. The SAM is deposited using a VPD process (e.g., an ALD process and/or an MLD process). In some embodiments, a CNT having a controlled diameter may be formed on the surface of a nanorod by appropriately tuning the geometry of the nanorod. Additionally, in some embodiments, a curved graphene transistor may be formed over a curved oxide surface, thereby providing a band gap in a channel region of the graphene transistor.

    专利号:CN-110366613-A
    优先权日:2016-12-16
    标 题:The Mutant libraries of immunological synapse and its synthesis

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    合成参考文献


    参考文献:10.1007/978-981-99-0961-2_9
    摘要:Mendhe AC. Spin Coating: Easy Technique for Thin Films. 2023. In: Simple Chemical Methods for Thin Film Deposition.
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