CAS: 2223-93-0; Cadmium Stearate

该化合物是一种有机金属化合物,其配方为C36H70CdO4,其特点是镉和硫酸的形成,它看起来像一种白色粉末,变成黄粉,主要用作各种聚合物应用中的热稳定剂和润滑剂,特别是在聚氯乙烯加工过程中.镉在水中具有低溶性,但可溶于有机溶剂,因而在各种配方中有用.该化合物的熔点一般在150-160C之间,对供暖,释放氧化镉和其他副产品进行分解.虽然镉在工业应用中起到功能作用,但镉也与由于镉的存在而引发的毒性问题有关,而一种已知对人类健康和环境的有害影响是重金属.由于这种问题,在许多地区受到管制,而且往往在安全为优先事项的应用中寻求替代品.适当的处理和处置做法对于减轻与镉接触有关的风险至关重要.

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上下游产品

CAS号506-82-1 高纯二甲基镉 | CAS号57-11-4 硬脂酸 | CAS号543-90-8 乙酸镉 | CAS号822-16-2 硬脂酸钠 | CAS号7440-43-9 镉

合成工艺路线路线简述

  • 合成目标产物 Cadmium Stearate 主要起始原料 Dimethylcadmium And Stearic Acid
  • (文献来源)合成步骤主要原料 Dimethylcadmium 和 Stearic Acid

海关参考信息

专利信息


专利号:US-4167513-A
优先权日:1977-09-06
标题 :Synthesis of unsaturated esters and lactone from butadiene and carbon dioxide
发明人:MUSCO ALFREDO; SANTI ROBERTO; CHIUSOLI GIAN P
权利人:MONTEDISON SPA
摘要:Octadienyl esters of 2-ethylidene-hepta-3,5-dienoic and 2-vinyl-hepta-3,5-dienoic acids of formula C 8 H 11 COOC 8 H 13 and δ-lactone of formula ##STR1## or 2-ethylidene-hepta-6-ene-5-olide, are prepared by reaction of 1,3-butadiene with CO 2 at a temperature comprised between about 20° and 150° C. and at a total pressure between about 10 and 500 atm in the presence of a phosphinic complex of palladium having the formula Pd[P(R) 3 ] x , wherein x is an integer from 2 to 4, and (R) 3 is a homogeneous or heterogeneous group consisting of alkyls, cycloalkyls having up to 8 carbon atoms and of phenyls, also substituted, in an inert atmosphere. n The obtained products are 'per se' new and are valuable intermediates for synthesis of chemicals (fungicides, pesticides, etc.) and in particular as effective plasticizers.

专利号:WO-2024061900-A1
优先权日:2022-09-20
标题 :Quantum dot shell synthesis
发明人:WALRAVENS WILLEM; NAKONECHNYI IGOR; MACINTYRE BROWN ALASDAIR ANGUS; PRATO MODESTINO RAFAEL ALBERTO; GRIGEL VALERIIA
权利人:QUSTOMDOT BV
摘要:The invention relates to the synthesis of core/shell/shell quantum dots, particularly to a novel shell synthesis method.

专利号:US-7465352-B2
优先权日:2004-07-23
标 题:One-pot synthesis of high-quality metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection
发明人:CAO YUNWEI CHARLES
权利人:UNIV FLORIDA
摘要:A method of homogeneously forming metal chalcogenide nanocrystals includes the steps combining a metal source, a chalcogenide source, and at least one solvent at a first temperature to form a liquid comprising assembly, and heating the assembly at a sufficient temperature to initiate nucleation to form a plurality of metal chalcogenide nanocrystals. The plurality of metal chalcogenide nanocrystals are then grown without injection of either the metal source or the chalcogenide source at a temperature at least equal to the sufficient temperature, wherein growth proceeds substantially without nucleation to form a plurality of monodisperse metal chalcogenide nanocrystals. An optional nucleation initiator can help control the final size of the monodisperse crystals. Such synthesis, without the need for precursor injection, is suitable for the industrial preparation of high-quality nanocrystals.

专利号:US-8137457-B2
优先权日:2004-07-23
标题 :One-pot synthesis of high-quality metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection
发明人:CAO YUNWEI CHARLES; CHEN OU
权利人:CAO YUNWEI CHARLES; CHEN OU; UNIV FLORIDA
摘要:A method of forming monodisperse metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection, comprising the steps of: combining a metal source, a chalcogen oxide or a chalcogen oxide equivalent, and a fluid comprising a reducing agent in a reaction pot at a first temperature to form a liquid comprising assembly; increasing the temperature of the assembly to a sufficient-temperature to initiate nucleation to form a plurality of metal chalcogenide nanocrystals; and growing the plurality of metal chalcogenide nanocrystals without injection of either the metal source or the chalcogen oxide at a temperature equal to or greater than the sufficient-temperature, wherein crystal growth proceeds substantially without nucleation to form a plurality of monodisperse metal chalcogenide nanocrystals. Well controlled monodispersed CdSe nanocrystals of various sizes can be prepared by choice of the metal source and solvent system.

专利号:US-2006019427-A1
优先权日:2004-07-23
标题 :One-pot synthesis of high-quality metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection

专利号:US-2009084307-A1
优先权日:2004-07-23
标 题 :One-Pot Synthesis of High-Quality Metal Chalcogenide Nanocrystals Without Precursor Injection
天津市光复精细化工研究所
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合成方法参考DOI号:10.1023/B:RJAC.0000038827.10443.63
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