一,用于沉积低介电常数薄膜
在制造集成电路时,等离子体工艺逐渐被用于替代热处理.为了进一步减小集成电路上的器件尺寸,需要使用低电阻率的导电材料和使用低介电常数(低-K)绝缘体来降低相邻金属连线之间的电容耦合.
CN201010219968.5提供了一种用于沉积低介电常数薄膜的方法.所述方法通过在具有功率供给的电极的处理腔室中定位衬底,使一种或多种氧化气体流入处理腔室,从大容量储存容器中使有机硅化合物以有机硅流速经过数字式液体流量计流到蒸发注射阀,蒸发有机硅化合物并使该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中,保持有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层,从第二大容量储存容器中使致孔剂(porogen)化合物以致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀,蒸发致孔剂化合物并使该致孔剂化合物和一种载气流到处理腔室中,在RF功率存在下沉积一过渡层的同时,提高有机硅流速和致孔剂流速,并且保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层.
在一个具体实施方式中,保持有机硅流速大约1秒,并且有机硅化合物可以是四甲基环四硅氧烷,八甲基环四硅氧烷,五甲基环五硅氧烷,六甲基环三硅氧烷,二乙氧基甲基硅烷,二甲基二硅氧烷,1,3,5,7-四硅代-2,6-二氧代环辛烷,四甲基二硅氧烷,六 甲基二硅氧烷,1,3-双(硅烷基亚甲基)-二硅氧烷,双(1-甲基二硅氧基)甲烷,双(1-甲基二硅氧基)丙烷,六甲氧基二硅氧烷,二甲基二甲氧基硅烷或者二甲氧基甲基乙烯基硅烷.
二CN201680018910提供一种用于制造有机半导体器件的制剂,所述制剂含有至少一种有机功能材料和至少溶剂和第二溶剂,其特征在于所述溶剂为硅氧烷.优选地,所述硅氧烷是选自八甲基环四硅氧烷,十甲基环五硅氧烷,十二甲基环六硅氧烷,十四甲基环七硅氧烷,六乙基环三硅氧烷,八乙基环四硅氧烷,2,4,6,8,10-五乙基,2,4,6,8,10-五甲基环五硅氧烷和2,4,6-三乙基,2,4,6-三甲基环三硅氧烷的环硅氧烷.
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